高能所等研制出具有良好高抗辐照性能的硅超快传感器

近日，中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。该传感器基于低增益雪崩放大二极管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经ATLAS合作组与RD50合作组测试，该传感器是目前抗辐照性能最好的LGAD硅超快传感器，达到ATLAS实验高颗粒度高时间分辨探测器项目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要求，其结果已在CERN的探测器讲座（CERN detector seminar）和欧洲核子中心（CERN）的实验新闻（EP Newsletter）上公布。