微电子所在动态随机存储器研究领域获进展

DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大优势。但目前研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使得IGZO-DRAM缺少密度优势。